超致MOS管經(jīng)常用于電源、通訊等領(lǐng)域，是一個(gè)ESD敏感設(shè)備本身的輸入電阻很高，在柵-源極間電容很小，容易被外部電磁場(chǎng)或靜電感應(yīng)帶電，在靜電強(qiáng)的情況下難以釋放電荷，容易引起靜電擊穿。

　　通常靜電擊穿有兩種方式：

　　一是電壓型，即格柵極的薄氧化層被擊穿，形成針孔，使格柵極與源極之間短路，或使格柵極與漏極之間短路；

　　二是功率型，即金屬薄膜鋁條熔斷，導(dǎo)致柵極開(kāi)路或源極開(kāi)路。

　　現(xiàn)在的mos管道不太容易被擊穿，尤其是大功率vmos,很多都有二極管保護(hù)。vmos柵極電容大，無(wú)法感應(yīng)高壓。如果遇到3DO型的mos冬季管道無(wú)防靜電環(huán)試驗(yàn)，基本摸一掛一。

　　與北方干燥不同，南方潮濕不易產(chǎn)生靜電。現(xiàn)在大多數(shù)人都有了CMOS設(shè)備內(nèi)部已增加IO但用手直接接觸口腔保護(hù)。CMOS管腳的設(shè)備不是一個(gè)好習(xí)慣。至少管腳的可焊性較差。

　　靜電放電形成短時(shí)大電流，放電脈沖的時(shí)間常數(shù)遠(yuǎn)小于設(shè)備散熱的時(shí)間常數(shù)。因此，當(dāng)靜電放電電流通過(guò)小面積時(shí)pn當(dāng)結(jié)或肖特基結(jié)時(shí)，會(huì)產(chǎn)生較大的瞬時(shí)功率密度，形成局部過(guò)熱，可能使局部溫度達(dá)到甚至超過(guò)材料的本征溫度(如硅熔點(diǎn)1415℃)，結(jié)區(qū)局部或多處熔化pn結(jié)短路，設(shè)備完全失效。故障主要取決于設(shè)備內(nèi)部區(qū)域的功率密度。功率密度越小，設(shè)備就越不容易損壞。

　　反偏pn結(jié)比正偏pn在反偏條件下，結(jié)損傷所需的能量只有正偏條件下的十分之一左右。這是因?yàn)榇蟛糠止β氏脑诮Y(jié)區(qū)中心，而正偏時(shí)則消耗在結(jié)區(qū)外的體電阻上。對(duì)于雙極裝置，發(fā)射結(jié)的面積通常小于其他結(jié)，結(jié)面比其他結(jié)更接近表面，因此經(jīng)常觀察發(fā)射結(jié)的退化。此外，擊穿電壓高于100V或漏電流小于1nA的pn結(jié)(如JFET與傳統(tǒng)尺寸相似的柵結(jié)相比)pn對(duì)靜電放電更敏感。

　　很多都是相對(duì)的，不是絕對(duì)的，MOS管道只比其它器件敏感，ESD一個(gè)很大的特點(diǎn)是隨機(jī)性，不是沒(méi)有遇到MOS管道可以擊穿它。此外，即使它產(chǎn)生了ESD，也不一定會(huì)擊穿管子。

　　靜電的基本物理特征是：

　　(1)有吸引力或排斥力；

　　(2)有電場(chǎng)，與地面有電位差；

　　(3)會(huì)產(chǎn)生放電電流。

　　這三種情況是ESD一般會(huì)對(duì)電子元件產(chǎn)生以下三種情況：

　　(1)元件吸附灰塵，改變線路之間的阻抗，影響元件的功能和使用壽命；

　　(2)由于電場(chǎng)或電流損壞元件的絕緣層和導(dǎo)體，元件不能工作(完全損壞)；

　　(3)因瞬間的電場(chǎng)軟擊穿或電流產(chǎn)生過(guò)熱，使元件受損，雖然仍能工作，但是壽命受損。所以ESD對(duì)MOS管道損壞可能是一、三、兩種情況，不一定是每次的第二種情況。在上述三種情況下，如果元件完全損壞，將能夠在生產(chǎn)和質(zhì)量測(cè)試中被發(fā)現(xiàn)和消除，影響較小。如果元件輕微損壞，在正常測(cè)試中不容易發(fā)現(xiàn)，在這種情況下，經(jīng)過(guò)多次加工，甚至在使用時(shí)，不僅檢查困難，而且損失難以預(yù)估。靜電對(duì)電子元件的危害不亞于嚴(yán)重火災(zāi)和爆炸事故的損失。

　　在什么情況下，電子元件和產(chǎn)品會(huì)被靜電損壞？可以說(shuō)，電子產(chǎn)品從生產(chǎn)到使用的整個(gè)過(guò)程都受到靜電損壞的威脅。靜電威脅著從設(shè)備制造到插件裝焊、整機(jī)裝聯(lián)、包裝運(yùn)輸?shù)疆a(chǎn)品應(yīng)用。在電子產(chǎn)品的整個(gè)生產(chǎn)過(guò)程中，靜電敏感元件在每個(gè)階段的每一個(gè)小步驟都可能受到靜電的影響或損壞，但事實(shí)上，重要和容易忽視的是元件的傳輸和運(yùn)輸過(guò)程。在此過(guò)程中，由于運(yùn)輸容易暴露在外部電場(chǎng)（如高壓設(shè)備附近、工人頻繁移動(dòng)、車(chē)輛快速移動(dòng)等），因此需要特別注意傳輸和運(yùn)輸過(guò)程，以減少損失，避免冷漠的糾紛。保護(hù)加齊納穩(wěn)壓管。

　　現(xiàn)在的mos管道不太容易被擊穿，尤其是大功率vmos,很多都有二極管保護(hù)。vmos柵極電容大，無(wú)高壓感應(yīng)。與干燥的北方不同，南方潮濕，不易產(chǎn)生靜電?，F(xiàn)在大多數(shù)人都有了CMOS設(shè)備內(nèi)部已增加IO但用手直接接觸口腔保護(hù)。CMOS管腳的設(shè)備不是一個(gè)好習(xí)慣。至少管腳的可焊性較差。

　　超致MOS管道被擊穿的原因及處理方案

　　一、MOS管道本身的輸入電阻很高，柵極間電容很小，容易被外部電磁場(chǎng)或靜電感應(yīng)帶電，少量電荷可以在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓 (U=Q/C)，損壞管道。雖然MOS輸入端有抗靜電保護(hù)措施，但仍需謹(jǐn)慎對(duì)待。用金屬容器或?qū)щ姴牧习b，不要放在容易產(chǎn)生靜電高壓的化學(xué)材料或化纖織物中。組裝調(diào)試時(shí)，工具、儀器、工作臺(tái)應(yīng)接地良好。要防止操作人員的靜電干擾造成的損壞，如不宜穿尼龍、化纖衣服，手或工具在接觸集成塊前先接一下地。設(shè)備在矯直彎曲或人工焊接時(shí)，必須接地良好。

　　二、MOS通時(shí)電流容量一般為1mA，過(guò)大的瞬態(tài)輸入電流(超過(guò)10mA)保護(hù)電阻應(yīng)串聯(lián)輸入。因此，在應(yīng)用過(guò)程中可以選擇內(nèi)部保護(hù)電阻MOS管應(yīng)。還有 由于保護(hù)電路吸收的瞬時(shí)能量有限，過(guò)大的瞬時(shí)信號(hào)和過(guò)高的靜電電壓會(huì)使保護(hù)電路失效。因此，焊接時(shí)電烙鐵必須可靠接地，以防止漏電擊穿裝置的輸入端。一般情況下，電烙鐵的余熱可以在斷電后焊接，接地管腳可以先焊接。

　　超致MOS管它是一種對(duì)電壓敏感的電壓驅(qū)動(dòng)元件，懸掛G容易受到外部干擾MOS外部干擾信號(hào)對(duì)導(dǎo)通G-S結(jié)電容充電，這個(gè)小電荷可以儲(chǔ)存很長(zhǎng)時(shí)間。G懸空在試驗(yàn)中非常危險(xiǎn)，很多都是因?yàn)檫@樣爆管，G下拉電阻對(duì)地，旁路干擾信號(hào)不會(huì)直通，一般可以10~20K。該電阻稱(chēng)為柵極電阻。

　　功能1：為現(xiàn)場(chǎng)效應(yīng)管提供偏置電壓；

　　功能2：起瀉電阻的作用（保護(hù)柵極電阻）G~源極S)。

　　第一個(gè)功能很容易理解，這里解釋第二個(gè)功能的原理：保護(hù)柵極G~源極S：場(chǎng)效應(yīng)管的G-S極間電阻值很大，所以只要有少量的靜電，他就可以G-S極間等效電容器的兩端產(chǎn)生高電壓。如果不及時(shí)排出這些少量靜電瀉，兩端的高壓可能會(huì)導(dǎo)致場(chǎng)效應(yīng)管誤動(dòng)，甚至有可能擊穿它G-S極;這時(shí)柵極與源極之間加的電阻就能把上述的靜電瀉放掉，從而起到了保護(hù)場(chǎng)效應(yīng)管的作用。

　　綜合上述內(nèi)容，超致MOS管靜電擊穿有兩種方式，一種是電壓型，一種是功率型，還介紹被擊穿的處理方式。